SK hynix совершила технологический прорыв, представив решение для хранения данных UFS 4.1 на базе инновационной 321-слойной 4D NAND флэш-памяти. Новые чипы толщиной всего 0,85 мм (на 15% тоньше предыдущего поколения) появятся в смартфонах уже в первом квартале 2026 года с вариантами емкости 512 ГБ и 1 ТБ.
Ключевые преимущества:
- Скорость: до 4300 МБ/с последовательного чтения
- Производительность: +15% к случайному чтению, +40% к случайной записи
- Энергопотребление: на 7% эффективнее текущих решений UFS 4.1
Помимо мобильных устройств, SK hynix планирует в течение 2026 года выпустить SSD для ПК и дата-центров на той же 321-слойной архитектуре. Компания особенно подчеркивает оптимизацию для ИИ-задач, позиционируя новинку как идеальное решение для "искусственного интеллекта на устройстве". Пока SK hynix лидирует с 321 слоями, Samsung уже анонсировала разработку 400-слойной NAND. Другие игроки рынка, такие как Micron и Kioxia, пока отстают в этом технологическом марафоне.
Интересно, что новые чипы UFS 4.1 по скорости последовательного чтения превосходят многие SSD PCIe NVMe Gen 3, хотя и не обходят предыдущее поколение решений SK hynix. С учётом растущих требований к мобильным хранилищам (особенно для ИИ-приложений), это обновление выглядит своевременным и перспективным.
