Samsung официально представила свои передовые технологии памяти следующего поколения в ходе Memory Tech Day 2023. Самыми значимыми анонсами стали разработка памяти Samsung HBM3E с кодовым названием "Shine Bolt" и памяти GDDR7 для новых областей применения в сфере искусственного интеллекта, игр и центров обработки данных.
Samsung продвигает технологию HBM3E DRAM (Shinebolt) как решение для приложений искусственного интеллекта нового поколения. HBM3E обладает впечатляющей скоростью передачи данных, достигая 9,8 Гбит/с на каждый контакт и общей скоростью более 1,2 ТБ/с. Это обеспечивается путем оптимизации технологии непроводящей пленки (NCF), устраняющей зазоры между чипами и максимизирующей теплопроводность. Продукты Samsung 8H и 12H HBM3 находятся в массовом производстве, а образцы HBM3E отправлены клиентам.
Samsung также планирует предоставлять интегрированные услуги, объединяя HBM следующего поколения с передовыми технологиями упаковки и литейными предложениями. Среди других продуктов, представленных на мероприятии, есть 32 Гбит DDR5 DRAM с самой высокой емкостью в отрасли, первая в своем роде GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с, и PBSSD петабайтного масштаба для расширения возможностей хранения данных.
Память GDDR7 обеспечивает повышение производительности на 40% и улучшение энергоэффективности на 20% по сравнению с GDDR6 DRAM. Она предлагает скорость передачи данных до 32 Гбит/с и может достичь пропускной способности до 1,5 ТБ/с при использовании 384-битного интерфейса шины. Сообщается, что Samsung GDDR7 DRAM будет доступен в различных вариантах, включая версии для высокоскоростных приложений и ноутбуков с низким энергопотреблением. Кроме того, она будет использовать эпоксидный формовочный компаунд с высокой теплопроводностью, что снизит термическое сопротивление на 70%. Samsung также передает образцы своей памяти GDDR7 NVIDIA, предоставляя раннюю возможность оценки для их будущих игровых видеокарт следующего поколения.
